|
¢¹±ÇÇõÁØ ¾¾ | °æºÏ ºÀȱºÃ» Ãѹ«°ú Á÷¿ø ±ÇÇõÃá ½Ç¹«°ü(39¼¼, Åë½Å 9±Þ)ÀÌ Áö³ 4ÀϺÎÅÍ ¿À´Â 7ÀϱîÁö ÀÎõ¼ÛµµÄÁº¥½Ã¾Æ¿¡¼ ¿¸®´Â Á¦18ȸ IEEE ±¹Á¦ÁýÀûȸ·Î¹°¸®¹×ºÒ·®ºÐ¼®½ÉÆ÷Áö¿ò(18th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuit 2011, IPFA 2011)¿¡ Âü°¡ÇØ 'ÀüÇؾ×-À¯Àüü-¹ÝµµÃ¼ ±¸Á¶¿¡¼ÀÇ À¯µ¿ °ÔÀÌÆ® Á¦¾î¿¡ ÀÇÇØ º¯ÈÇÏ´Â ¹®ÅÎ Àü¾Ð(¿øÁ¦: Threshold voltage changed by floating gate control in electrolyte-insulator-semiconductor structure)'¶ó´Â ÁÖÁ¦ÀÇ ¿¬±¸³í¹®À» ¿µ¾î·Î ¹ßÇ¥ÇÑ´Ù.
IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)´Â ¹Ì±¹Àü±âÀüÀÚÇÐȸ ¾àÀÚ·Î Àü ¼¼°è 175°³±¹ 36¸¸¿© ¸íÀÇ ±â¼úÁ÷ Àü¹®°¡µéÀ» ȸ¿øÀ¸·Î µÐ ºñ¿µ¸® ´Üü·Î, ¼¼°è ÃÖ´ëÀÇ Àü±â¡¤ÀüÀÚ¡¤Àü±âÅë½Å¡¤ÄÄÇ»ÅÍ ºÐ¾ßÀÇ Àü¹®°¡µéÀÌ ¸ð¿© ÀüÀÚÀü±âÅë½Å µî¿¡ ´ëÇÑ ¿¬±¸ È°µ¿À» ¹úÀÌ´Â ±¹Á¦¿¬±¸ÇÐȸÀÌ´Ù.
5ÀÏ ¹ßÇ¥ÀÚ·Î ³ª¼± ±Ç ½Ç¹«°üÀÇ ÁÖ¿ä ³í¹®³»¿ëÀº ´Ù¾çÇÑ ¹ÝµµÃ¼½Ä ¼¾¼·Î ÀÀ¿ë °¡´ÉÇÑ ¼ÒÀÚ¿¡¼ ¹ß»ýÇÏ´Â ºÒ±ÕÀϼºÀÇ ¿øÀκм®°ú ÇØ°áÃ¥¿¡ °üÇÑ ³»¿ëÀ» ¿¬±¸ÇÑ °ÍÀ¸·Î °ø¹«¿øÀ¸·Î¼ ¹Ù»Û ¾÷¹« Áß¿¡µµ º»ÀÎÀÇ ÀÚ±â°è¹ß¿¡ ²ÙÁØÈ÷ ³ë·ÂÇØ ¿Â °á°úÀÌ´Ù.
2010³âµµ ºÀȱºÃ» Åë½Å ºÐ¾ß¿¡ ÀÓ¿ëµÈ ±Ç ½Ç¹«°üÀº ÀÓ¿ë ÈÄ¿¡µµ ÁÖ°æ¾ßµ¶Çϸç, Áö³ÇØ¿¡´Â ±¹³»´ëÇп¡¼ °øÇйڻç ÇÐÀ§¸¦ ÃëµæÇÒ Á¤µµ·Î º»ÀÎÀÇ ¾÷¹«¿Í Çо÷¿¡ ¿Á¤À» º¸¿´´Ù.
±×µ¿¾È ±¹³»¿Ü ÇмúÀâÁö ¹× Çмú´ëȸ ¹ßÇ¥ 12ȸ¿Í ¹Ì±¹Æ¯Ç㸦 Æ÷ÇÔÇÑ Æ¯Çã Ãâ¿ø 5°ÇÀÇ ¿¬±¸½ÇÀûÀ» ½×¾Ò´Ù.
ÇÑÆí, ÃÖ±Ù ºÀȱº °ø¹«¿øµéÀº ¹Î°£ÀÎÀÌ Æ÷ÇÔµÈ ½ÃÃ¥ ¹ß±¼ µîÀÇ ´Ù¾çÇÑ ºÐ¾ßÀÇ µ¿¾Æ¸®(18°³) È°µ¿À» È°¹ßÈ÷ ¹ú¿© âÀÇÀûÀ¸·Î ¿¬±¸ÇÏ°í ÀÏÇÏ´Â Á÷ÀåºÐÀ§±â Á¶¼º¿¡ Àû±ØÀûÀ¸·Î ³ª¼°í ÀÖ´Ù.
ÀÌ·± ºÐÀ§±â¿¡ ¸ÂÃß¾î ±Ç ½Ç¹«°üÀÇ ±¹Á¦ÇÐȸ ¹ßÇ¥´Â ´Ù¸¥ °ø¹«¿øµéÀÇ »ç±âÁøÀÛ°ú Àڱⰳ¹ß ¹× ±¹Á¦È ¿ª·®À» Å°¿ï ¼ö ÀÖÀ» º»º¸±â°¡ µÉ Àü¸ÁÀÌ´Ù.
2011-07-05 22:08:44 /
±è¿ëÈ£ ±âÀÚ(yaho@ugn.kr) |
|
- Copyright ¨Ï UGN °æºÏ´º½º. ¹«´ÜÀüÀç ¹× Àç¹èÆ÷ ±ÝÁö -
|